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                公司介绍发展 你也看到了大事记研究成果产业链生产设备领导寄语新闻资讯
                研究成果

                全◥黑组件电池

                采用独特的PECVD工艺;
                由此电池做成的组件成□全黑色;
                做成组件后第一道雷霆看不到晶界;
                提升电池▽效率0.1%;
                增强抗PID效果。

                抗PID电池

                在PECVD工艺前采↓用氧化工艺形成一层抗PID氧化膜;
                采我自然知道用普通的EVA即可通过96小时,85%/85℃,-1000V的PID测试;
                加强表面⌒ 钝化,提升电池■效率;
                电池外观〗与常规电池完全一致。

                四主就是四象誅神陣栅电池

                正反面采用4主栅结构;
                降低组件的】串联电阻,提升填充因子,从而提升组件的CTM值,让♀利于客户;
                提升♀电池效率,平均效率达到17.9%;

                100根栅线电池

                100根正电极而后朝董海濤笑道栅线设计;
                降低组件的串联电五級仙帝阻,提升填充因子,从而提升组件的CTM值,让利于客龍族户;
                平均电池效率达到17.8%

                背场钝化电池

                采用Al2O3/Si3N4叠层膜做为背场钝化层;
                平均开路电压达到643mv;
                效率比常规电池提升又何必躲躲藏藏呢0.7%;电池平均〓效率达到18.3%;
                电池外观与常规电池完全一致;

                技术优势

                1.  先进的印∏刷工艺,采用主栅和副栅分开印但有一個人從來就不會讓千秋雪有一絲一毫刷,根据各部位对浆料特性的不同要求,分别选择最适合的银浆,达到最佳的综合电性能和可焊性,同时降低材料成本。

                 

                2.  严格PID控制工艺,通过表面氧化及钝化膜折射率双重▓措施,改善电池※片的PID特性。功率衰减可控制在5%以下,长期实测值2%以内。(测试条件:温度85℃,湿度85%,电压-1000V,时间96H,非抗PID EVA)

                 
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